Bài viết mới
VOZ Forums

Tham gia VOZ Forums để thảo luận, chia sẻ kiến thức và kết nối cộng đồng. Đăng ký tài khoản miễn phí để đăng bài, bình luận và nhắn tin với thành viên khác.

RAM Trung Quốc vượt mốc DDR5-8800 trên nền tảng AMD

voznews

Điều hành viên
22 Level 22
32.4%
Bài viết
5.898
Được Like
11
89579090ed94813c240f0fbe1a54551294600fe-17863467191741179064001-128-0-756-1200-crop-17863467519021015787225.jpeg

RAM Trung Quốc vượt mốc DDR5-8800 trên nền tảng AMD

4626390115090904687719222236269629751881947n-17292733914391350492811.jpg

gg-2.svg

Trong thử nghiệm đầu tiên, bộ RAM 32 GB gồm hai thanh 16 GB sử dụng chip CXMT đạt DDR5-8812, với thời gian bộ nhớ CL42-54-54-127. Hệ thống thử nghiệm sử dụng bo mạch chủ Asus ROG Crosshair X870E Apex cùng bộ xử lý AMD Ryzen 7 9800X3D. Đây là bo mạch chủ hướng đến ép xung, với thiết kế hai khe DIMM nhằm tối ưu khả năng vận hành bộ nhớ ở tốc độ cao.

screenshot-2026-08-10-142207-17863465414222042857634.png

Bộ RAM thứ hai có tổng dung lượng 48 GB, gồm hai thanh 24 GB, cũng sử dụng chip nhớ CXMT. Cấu hình này đạt DDR5-8817 với thông số CL42-56-56-134, nhỉnh hơn một chút so với bộ 32 GB. Điện áp DRAM được đặt ở mức 1,45 V trong cả hai trường hợp.

Các kết quả trên không đồng nghĩa RAM CXMT thương mại sẽ mặc định hoạt động ở DDR5-8800. Đây là thành tích ép xung trên hệ thống phần cứng chuyên dụng, nhưng vẫn cung cấp thêm dữ liệu về giới hạn hoạt động của chip nhớ do Trung Quốc phát triển.

Kết quả mới đưa chip CXMT đến gần hơn với khả năng ép xung của các sản phẩm từ SK hynix, nhà sản xuất có chip nhớ được sử dụng phổ biến trên những bộ DDR5 tốc độ cao. Trước đó, chip CXMT thường khó cạnh tranh ở phân khúc dành cho người dùng đòi hỏi hiệu năng và khả năng ép xung cao.

Điểm đáng quan tâm nằm ở công nghệ sản xuất của CXMT. Chip DDR5 của hãng được cho là sản xuất trên tiến trình 16 nm và sử dụng công nghệ quang khắc DUV. Trong khi đó, các nhà sản xuất bộ nhớ hàng đầu có khả năng tiếp cận những công nghệ chế tạo tiên tiến hơn, bao gồm EUV.

CXMT hiện không thể tiếp cận thiết bị quang khắc EUV do các hạn chế xuất khẩu công nghệ đối với Trung Quốc. Vì vậy, việc chip DDR5 của hãng có thể vượt mốc 8.800 MT/giây khi ép xung cho thấy CXMT vẫn cải thiện được khả năng vận hành của sản phẩm dù chịu giới hạn về thiết bị sản xuất.

Dù vậy, kết quả ép xung chưa đủ để khẳng định CXMT đã bắt kịp SK hynix. Những yếu tố như sản lượng, hiệu suất sản xuất, mức tiêu thụ điện, độ ổn định và khả năng đạt tốc độ cao trên sản phẩm thương mại vẫn cần được xem xét khi đánh giá năng lực cạnh tranh giữa các nhà sản xuất bộ nhớ.

changxin-memory-technologies-1710080624963739684173-0-0-600-960-crop-1710080810943807401283.jpg

Nhà sản xuất RAM CXMT là mục tiêu trừng phạt tiếp theo của Mỹ



Nguồn: Thanh Niên Công nghệ
Chuyên mục: PC Gaming
 
Back